Hi，大家好，我是编程小6，很荣幸遇见你，我把这些年在开发过程中遇到的问题或想法写出来，今天说一说
开关电源mosfet关断缓冲电路图_2842开关电源电路图,希望能够帮助你!!!。

RC缓冲电路

关键：主电路拓扑结构。

如下电路所示：

RC组成的正激变换器的缓冲电路

Q关断，集电极电压开始上升到2Vdc，电容C限制集电极电压的上升速度，并减小上升电压和下降电流的重叠，减低开关管Q的损耗。

下次开关关断前，C必将已充满的电压2Vdc放完，放电路径为C→Q→R。

如：开关管没带缓冲电路

正激变换器的复位绕组和初级绕组匝数相同。

当Q关断瞬间，储存在励磁电感和漏感中的能量释放，初级绕组两端电压极性反向，正激变换器的开关管集电极电压迅速上升到2Vdc。

同时，励磁电流经二极管D流向复位绕组，最后减小到零，此时Q两端电压下降到Vdc。

如下电路所示

关管集电极电流和电压波形。

开关管不带缓冲电路，在Q关断时，其两端的漏感电压尖峰很大，产生的关断损耗也很大，严重时很可能会烧坏开关管，因此，必须给开关管加上缓冲电路。

当开关管带缓冲电路，其集电极电压和电流波形

如下电路所示

如上第一个电路图

当Q开始关断，其电流开始下降，而变压器漏感会阻止这个电流的减小。

一部分电流将继续通过将要关断的开关管。

一部分则经RC缓冲电路并对电容C充电，电阻R的大小与充电电流有关。

Ic的一部分流进电容C，可减缓集电极电压的上升。

通过选取足够大的C，可以减少集电极的上升电压与下降电流的重叠部分，从而显著降低开关管的关断损耗，同时还可抑制集电极漏感尖峰电压。

如上电路图3中所示

A-C阶段：为开关管关断阶段，C-D为开关管导通阶段。

在开关管关断前，电容C两端电压为零。

在关断时刻(B时刻)，C会减缓集电极电压的上升速度，但同时也被充电到2Vdc

(在忽略该时刻的漏感尖峰电压的情况下)。

电容C的大小不仅影响集电极电压的上升速度，且决定电阻R上的能量损耗。

在Q关断瞬间，C上的电压为2Vdc，它储存的能量为0．5C(2Vdc)2焦耳。

如果该能量全部消耗在R上，则每周期内消耗在R上的能量为：

对限制集电极上升电压来说，C应该越大越好；

但从系统效率出发，C越大，损耗越大，效率越低。

因此，必须选择合适的C，使其既能达到一定的减缓集电极上升电压速度的作用，又不至于使系统损耗过大而使效率过低。

因在下一个关断开始时刻即D时刻，必须保证C两端没有电压，所以在B时刻到D时刻间的某时间段内，C必须放电。

实际上，电容C在C-D这段时间内，可通过电阻R经Q和R构成的放电回路进行放电。

因此，在选择了一个足够大的C后，R应使C在最小导通时间ton内放电至所充电荷的5％以下，这样则有：

第一个公式表明：R上的能量损耗是和C成正比的，因而必须选择合适的C，这样，如何选择C就成了设计RC缓冲电路的关键。

事实上，当Q开始关断时，假设最初的峰值电流Ip的一半流过C。

另一半仍然流过逐渐关断的Q集电极，同时假设变压器中的漏感保持总电流仍然为Ip。

那么，通过选择合适的电容C，以使开关管集电极电压在时间tf内上升到2Vdc(其中tf为集电极电流从初始值下降到零的时间，可以从开关管数据手册上查询)，则有：

从上面公式即可计算出电容C。

最小导通时间已知，即可得到电阻R的大小。

带RC缓冲的正激变换器主电路

如下电路所示

一个带有RC缓冲电路的正激变换器主电路。该主电路参数为：Np=Nr=43匝。Ns=32匝，开关频率f=70 kHz，输入电压范围为直流48～96 V，输出为直流12 V和直流0．5 A。

开关电源之MOSFET管的关断缓冲电路

开关管Q为MOSFET，型号为IRF830，其tf一般为30 ns。Dl、D2、D3为快恢复二极管，其tf很小(通常tf=30 ns)。

输出功率P0=V0I0=6 W

假设变换器的效率为80％，每一路RC缓冲电路所损耗的功率占输出功率的1％，这里取Vdc=48 V。

实验结果分析

下面分两种情况对该设计进行实验分析，一是初级绕组有缓冲，次级无缓冲；二是初级无缓冲，次级有缓冲。

(1)初级绕组有缓冲，次级无缓冲

该实验测量的是开关管Q两端的漏源电压，实验分以下两种情况：

第一种情况：RS1=1．5 kΩ，CS1不定，输入直流电压Vdc为48 V。

结果：在RS1不变的情况下，CSl越大，虽然开关管Q的漏感尖峰电压无明显降低，但它的漏源电压变得平缓了，这说明在初级开关管的RC缓冲电路中，CSl应该选择比较小的值。

第二种情况：CSl=33 pF，RS1不定，输入直流电压Vdc为48 V。

结果：当CS1不变时，RS1越大，开关管Q的漏感尖峰电压越大(增幅比较小)。

可见，RC缓冲电路中，参数R的大小对降低漏感尖峰有很大的影响。在选定一个合适的C，同时满足式(2)时，R应该选择比较小的值。

次级绕组有缓冲，初级无缓冲

以D2、D3的阴极作为公共端来测量快恢复二极管的端压，其结果是，当R不变时，C越大，二极管两端的漏感尖峰越小。

理论上：如果C为无穷大时，二极管两端的电压中就没有漏感尖峰。而在实际中，只需让二极管两端电压的漏感尖峰电压在其端压峰值的30％以内就可以满足要求了，这样同时成本也不会太高。

设计参数的确定

通过实验分析可见，在次级快恢复二极管的RC缓冲电路中，当选择了适当大小的电容C时，在满足式(2)的情况下，电阻R应该选择得越小越好。最终经过实际调试，本设计选择的RC缓冲电路参数为：

初级：RS1=200，CSl=100 pF

次级：RS2=RS3=5l，CS2=CS3=1000 pF

此设计初级开关管的RC缓冲电路中的C值虽然选得稍微比计算值大一些，但损耗也不是很大，因此还是可以接受的。

相对初级而言，次级快恢复二极管的RC缓冲电路中的C值就选得比计算值大得多，系统的损耗必然增大。

但是，并联在快恢复二极管两端的RC缓冲电路主要是为了改善系统输出性能，因此选择比较大的C值虽然会使系统的整体效率降低，但二极管两端的漏感尖峰就减小了很多，而且输出电压的纹波也可以达到指定要求。

该内容是小编转载自网络，仅供学习交流使用，如有侵权，请联系删除。如果你还想了解更多关于电子元器件的相关知识及电子元器件行业实时市场信息，敬请关注微信公众号 【上海衡丽贸易有限公司】

今天的分享到此就结束了，感谢您的阅读，如果确实帮到您，您可以动动手指转发给其他人。